全球存储芯片三巨头——三星电子、SK 海力士和美光科技——在美国遭遇集体诉讼,被指控合谋操纵 DRAM 市场价格。原告方称,三家公司以”转向 HBM(高带宽内存)生产”为掩护故意削减 DRAM 产能,导致 DDR5 等主流内存芯片价格在过去四年内飙升约 700%。
诉讼核心指控
起诉书指出,三星、SK 海力士和美光控制了全球约 95% 的 DRAM 市场。原告指控三家公司通过默契协调,将产能从通用 DRAM 转移至利润更高的 HBM 产线,从而人为制造供给短缺。在此期间,消费级 DDR5 内存条价格从 2022 年的每 GB 约 $3 涨至 2026 年超 $20,服务器内存涨幅更为剧烈。
历史阴影:DRAM 不是第一次
这并非 DRAM 行业首次面临价格操纵指控。2002 年,美国司法部对三星、海力士、美光和英飞凌展开反垄断调查,最终开出超 $730M 罚金,多名高管入狱。2018 年,中国发改委也对三星、SK 海力士和美光展开价格操纵调查。2022 年曾有一轮类似诉讼因原告无法证明”存在明示协议”而被驳回——本次集体诉讼试图通过产能转移的协同性来弥补这一缺陷。
市场影响与监管风险
若集体诉讼获法院批准进入实质审理,三家巨头可能面临数十亿美元赔偿。更关键的是,HBM 产能扩张计划可能因反垄断审查而受阻——而 HBM 恰恰是 NVIDIA Blackwell、AMD MI400 等 AI 加速器的关键组件。市场担忧 AI 算力供应链可能因此出现瓶颈。
社区反响
HN 评论区的核心观点是:DRAM 市场长期处于寡头垄断格局,价格同步涨跌早已是常态而非巧合。部分用户分享了在 2017-2018 年内存高价期间自建 NAS 的痛苦经历,认为半导体行业需要更严格的竞争监管。也有评论指出,AI 需求确实推高了 HBM 和高端 DRAM 的实际成本,并非所有涨价都是合谋。
原文: Samsung, SK Hynix, Micron Sued in US over Memory Price Fixing · HN 讨论